熱電制冷過程中散熱強(qiáng)度對(duì)制冷參數(shù)的影響分析

李茂德，盧希紅

【同濟(jì)大學(xué)熱能工程系.上海200092)

摘要：對(duì)熱電制冷電偶對(duì)進(jìn)行傳熱分析，得到了熱電制冷性能與熱端散熱強(qiáng)度之間的微分方程在第三婁邊界條件下進(jìn)行求解可得到熱電制冷性能與熱端散熱強(qiáng)度之間的解析關(guān)系式經(jīng)過對(duì)其進(jìn)行數(shù)值計(jì)算和求解，得出了散熱強(qiáng)度對(duì)熱電制冷性能影響的曲線.由此得出：隨著散熱強(qiáng)度的不斷增強(qiáng)，熱電制冷的肚能逐漸提高;當(dāng)熱端散熱強(qiáng)度增加到一定值后，散熱強(qiáng)度的增加對(duì)制冷性能的影響就趨于緩慢;從經(jīng)濟(jì)性考慮，熱電制冷中存在z*住熱端散熱強(qiáng)度，不可能無(wú)限制地通過提高熱端散熱強(qiáng)度來(lái)改變熱電制冷器的制冷性能所以，在實(shí)際應(yīng)用中應(yīng)合理優(yōu)化設(shè)計(jì)和改進(jìn)熱端散熱系統(tǒng)

關(guān)鍵詞：散熱強(qiáng)度;熱電制冷;制冷性能

nfluence of Intensity of Heat Emission on Performance

of Semiconductor Refrigeration

LIMao—de.LUXi—hong

(DeI)artment of Thermal Engineering.Tongji UnJtnelsity，Shanghai 200092，China

Abstract：Heat transfer analysis for semiconductor refrigeration module wets done，and the numerical solutionof the third kind boundary condition of this model was provided Furthermore，the analytic formula of heat ab—sorbed Q。，heat dissipation Qh，input power P and refrigeration coefficient￡were obtained，and the graphs forthe relation of heat absorbed Q。，heat dissipation Qh，input power P，refrigeration coefficient E and intensityof heat emission。l by numerical calculation were made.This paper provided the basis for the optimal design ofheat emission system of the hot side of semiconductor refrigeration

Key words：intensity of heat emission;semiconductor refrigeration;performance of refrigeration

熱電制冷是在珀?duì)柼?yīng)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的一門新興制冷技術(shù)，是一種有趙好應(yīng)用前景的制冷方式.熱電制冷器是利用電能直接實(shí)現(xiàn)熱能傳遞的一種特殊半導(dǎo)體器件.它不同于壓縮式制冷機(jī)，具有無(wú)機(jī)械運(yùn)動(dòng)、體積小、制冷迅速、冷量調(diào)節(jié)范圍寬及冷熱轉(zhuǎn)換快等特點(diǎn)近年來(lái)，隨著熱電制冷器件制造技術(shù)的不斷提高，其應(yīng)用領(lǐng)域已不再局限于軍事、化工、航天、醫(yī)療等特定的領(lǐng)域，在民用領(lǐng)域也顯示出相當(dāng)廣闊的應(yīng)用前景但是，由于半導(dǎo)體材料。。。

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